G-30B4型高精密光刻機

設(shè)備概述:

本設(shè)備為我公司專門針對各大、中、小型企業(yè)的使用特性而研發(fā)的一種高精密雙面光刻機，它主要用于中小規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體元器件、聲表面波器件的研制和生產(chǎn),它具有生產(chǎn)效率高、結(jié)構(gòu)簡單、操作維護方便等優(yōu)勢，本機不僅適合4英寸以下各型基片的曝光，也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光以及非圓形基片和小型基片的曝光。

主要功能特點

1.適用范圍廣適用于Φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)雙面一次曝光。

2. 結(jié)構(gòu)穩(wěn)定

本設(shè)備配置有可實現(xiàn)真空硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構(gòu)；具有真空掩膜版架、真空片吸盤。

3. 操作簡便

本設(shè)備操作簡單，調(diào)試、維護、修理等都非常簡便。

4. 設(shè)備運行穩(wěn)定、可靠

采用進口電磁閥、按鈕、定時器；采用獨特的氣動系統(tǒng)、真空管路系統(tǒng)和精密的機械零件，使本機具有非常高的可靠性。

5. 特設(shè)功能

除標準承片臺外，還可以為用戶定制專用承片臺，來解決非圓形基片、碎片和底面不平 的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題

主要技術(shù)指標

1、曝光類型：雙面；一次同時曝光(高均勻性汞燈曝光頭)

2、曝光面積：Φ110mm；

3、曝光照度不均勻性：≤±4%；

4、曝光強度：≤7mw/cm2；

5、紫外光中心波長：365nm；

6、曝光分辨率：2μm；

7、曝光方式：接觸式曝光；

8、掩模版尺寸：≤127×127mm；

9、基片尺寸：≤ Φ100 mm（或者100×100mm）;

10、基片厚度：≤5 mm；

11、曝光定時：0～999.9秒可調(diào)；